半导体电子零件加工的制造

半导体电子零件加工包括以下步骤，并重复使用：

光刻

刻蚀

薄膜（化学气相沉积或物理气相沉积）

掺杂（热扩散或离子注入）

化学机械平坦化CMP

使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主参见Damascene）。

主要的工艺技术可以分为以下几大类：黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成。

半导体电子零件是最常见类型的集成电路，所以密度最高的设备是存储器，但即使是微处理器上也有存储器。

尽管结构非常复杂，几十年来芯片宽度一直减少，但集成电路的层依然比宽度薄很多。

组件层的制作非常像照相过程。虽然可见光谱中的光波不能用来曝光组件层，因为他们太大了。

高频光子（通常是紫外线）被用来创造每层的图案。因为每个特征都非常小，对于一个正在调试制造过程的过程工程师来说，电子显微镜是必要工具。